18-06-29

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功率半导体MOSFET缺货发酵 台股相关公司股价暴涨

  据媒体报道,近期功率半导体金氧半场效电晶体(MOSFET)及绝缘闸双极电晶体(IGBT)缺货潮持续发酵,目前大厂手中库存均降至1个月以下,已低于2-3个月的安全库存水准。茂硅、汉磊等代工大厂订单已满到年底,第三季已确定涨价5-20%。受行业利好刺激,台湾产业链公司股价全线暴涨,代工企业茂硅年初至今股价涨幅超过3倍,MOSFET厂大中股价月涨幅超过1倍。
  MOSFET是一种广泛用于3C、汽车电子等领域的场效晶体管,市场空间达60亿美元。由于MOSFET厂转进车用电子市场,导致高压及低压MOSFET持续缺货并连带IGBT供货吃紧。IDM大厂去年以来没有扩增MOSFET产能,而家电、无线充电等需求持续释放且将迎来旺季。业内预计MOSFET缺货情况将延续到明年,价格将逐季调涨。受益于行业高景气,国内相关公司有望分享行业红利。

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18-06-26

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高频直流—直流转换器用650V碳化硅MOSFET的好处

  市场对开关速度、功率、机械应力和热应力耐受度的要求日益提高,而硅器件理论上正在接近性能上限。
  宽带隙半导体器件因电、热、机械等各项性能表现俱佳而被业界看好,被认为是硅半导体器件的替代技术。在这些新材料中,兼容硅技术制程的碳化硅(SiC)是最有前景的技术。碳化硅材料的电气特性使其适用于研制高击穿电压器件,但是,远高于普通硅器件的制造成本限制了其在中低压器件中的推广应用。在600V电压范围内,硅器件的性能非常好,性价比高于碳化硅器件。不过,应用要求芯片有更高的性能,而硅器件已经达到了极限。最近几年,人们更加关注环境、能效和污染问题,导致电气能效标准趋严,这不只限于大功率应用,还包括低负载应用。现在,开关频率可以更高,同时开关损耗可以降至更低,本文介绍的650V碳化硅晶体管特别适合这种应用场景。
  更高的关键应用准许使用掺杂程度更高的超薄裸片,使其损耗比其它芯片低很多。碳化硅热导率比硅器件高出很多,因此,功率损耗散热导致的温降在整个器件上都比较低。因为碳化硅的熔点温度更高,可以工作在400°C范围内,这些特性让人们更加看好碳化硅器件在开关速度、损耗、Rdson导通电阻、击穿电压方面的性能表现。事实上,击穿电压高于1200V的碳化硅器件深受市场欢迎。是否选择超高击穿电压的碳化硅器件,不仅要考虑电气特性,还要考虑碳化硅的制造成本高于硅器件。对于600V电压以下碳化硅产品,以前市面上只有2寸或3寸碳化硅晶圆片,而且生产设备非常昂贵,因此,碳化硅器件的性价比不如硅器件。今天,4寸和6寸碳化硅晶圆片非常常见,市场对碳化硅器件需求增长可以让厂商降低制造成本。600VSiCMOSFET开始出现在市场上,具有令人感兴趣的特性,适用于各种应用领域。

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18-06-21

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电力MOSFET的主要参数

  除前面已涉及的跨导gm、开启电压U、开通时间ton及关断时间toff之外,电力MOSFET还有以下主要参数。
  1、漏源击穿电压BUDS
  漏源击穿电压BUDS决定了电力MOSFET的最高工作电压,使用时应注意结温的影响,结温每升高100℃,BUDS就增加10%。这与双极型器件SCR及GTR等随结温升高而耐压降低的特性恰好相反。

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18-06-14

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三个基本条件保证LLC原边MOSFET的ZVS

  LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通(ZVS),MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS,需要满足以下三个基本条件:
  1)上下开关管50%占空比,1800对称的驱动电压波形;
  2)感性谐振腔并有足够的感性电流;

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18-06-05

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电路中电源IC芯片好坏的判定方法

  一、直流工作电压测量法:
  主要是测出各引脚对地的直流工作电压值;然后与标称值相比较,依此来判断集成电路的好坏。用电压测量法来判断集成电路的好坏是检修中最常采用的方法之一,但要注意区别非故障性的电压误差。测量集成电路各引脚的直流工作电压时,如遇到个别引脚的电压与原理图或维修技术资料中所标电压值不符,不要急于断定集成电路已损坏,应该先排除以下几个因素后再确定。
  1.所提供的标称电压是否可靠,因为有一些说明书,原理图等资料上所标的数值与实际电压有较大差别,有时甚至是错误的。此时,应多找一些有关资料进行对照,必要时分析内部原理图与外围电路再进行理论上的计算或估算来证明电压是否有误。

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18-06-04

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MOSFET器件选型选型法则

  功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了,但你知道吗?关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素,小到选N型还是P型、封装类型,大到MOSFET的耐压、导通电阻等,不同的应用需求千变万化,下面这篇文章总结了MOSFET器件选型的10步法则,相信看完你会大有收获。
  1、功率MOSFET选型第一步:P管,还是N管?
  功率MOSFET有两种类型:N沟道和P沟道,在系统设计的过程中选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择,N沟道MOSFET选择的型号多,成本低;P沟道MOSFET选择的型号较少,成本高。如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地,N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动,驱动电路复杂;P沟道可以直接驱动,驱动简单。

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18-05-09

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按钮开关的三种形式

  按钮开关是一种结构简单,应用广泛的主令电器,一般情况下它不直接控制主电路的通断,而在控制电路中发出手动“指令”去控制接触器、继电器等电器,再用它们去控制主电路。也可用来转换各种信号线路与电气联锁线路等。
  常开(又称动合)按钮:未按下时,触头3-4是断开的,按下时触头3-4被接通;当松开后,按钮在复位弹簧的使用下复位断开。
  常闭(又称动断)按钮:与常开按钮相反,没有按下时,触头1-2是闭合的,按下时触头1-2被断开;当松开后,按钮在复位弹簧的作用下复位闭合。

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18-05-08

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稳压二极管是什么管?

  稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管,因为它能在电路中起稳压作用,故称为稳压二极管。
  这种管子是利用二极管的反向击穿特性制成的,在电路中其两端的电压保持基本不变,起到稳定电压的作用。作为控制电压和标准电压使用而制作的。
  稳压二极管的温度系数α:α表示温度每变化1℃稳压值的变化量。稳定电压小于4V的管子具有负温度系数(属于齐纳击穿),即温度升高时稳定电压值下降(温度使价电子上升较高能量);

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18-05-05

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如何正确选用整流桥堆?

  整流桥堆就是由两个或四个二极管组成的整流器件。桥堆有半桥和全桥以及三相桥三种半桥又有正半桥和负半桥两种,堆桥的文字符号为UR。
  整流桥堆的选用窍门可以通过“五看”来解决
  1、看工作电压;整流桥的工作电压有大小,
  2、看工作电流,整流桥的工作电流也有大小,
  3、看工作频率,如果对高频交流电进行整流,则要选择由快恢复二极管组成的整流桥,
  4、看封装,选一种适合你的封装形式便于安装、散热。

18-04-19

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电容器的三大检测方法

  电容器是一种容纳电荷的器件,是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于电路中的隔直通交,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制等方面。关于电容器的检测,主要分为三大类:固定电容器的检测、电解电容器的检测、可变电容器的检测。
  一、固定电容器的检测
  1、检测10pF以下的小电容因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。测量时,可选用万用表R×10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。

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